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具有过压保护的发光二极管芯片

发明专利有效专利

申请号：
CN200880122542.9
IPC分类号：H01L25/075;H01L25/16;H01L27/15
申请日期：
2008-12-09
申请人：
欧司朗光电半导体有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有过压保护的发光二极管芯片
申请号	CN200880122542.9	申请日期	2008-12-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-12-01	公开/公告号	CN101904006A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/075 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕 H01L25/03 所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件〔5，8〕 H01L25/04 不具有单独容器的器件〔2014.01〕 H01L25/075 包含在H01L 33/00组类型的器件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;0;7;5;;;H;0;1;L;2;5;/;1;6;;;H;0;1;L;2;7;/;1;5查看分类表>
申请人	欧司朗光电半导体有限公司	申请人地址	德国雷根斯堡变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	欧司朗光电半导体有限公司	当前权利人	欧司朗光电半导体有限公司
发明人	约尔格·埃里希·佐尔格;斯特凡·格鲁贝尔;乔治·伯格纳
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	陈炜;许伟群

摘要

本发明提出了一种发光二极管芯片，其具有用于防止过压的装置，缩写为ESD防护装置(2)。ESD防护装置(2)集成在支承体(3)中，在该支承体上存在发光二极管芯片的半导体层序列(1)，并且该ESD防护装置基于支承体(3)的确定区域的特定的掺杂。ESD防护装置(2)例如构建为齐纳二极管，其借助电导体结构(5)与半导体层序列(1)相连接。

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