半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310050114.2
IPC分类号：H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28
申请日期：
2013-02-08
申请人：
中国科学院微电子研究所

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著录项信息

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN201310050114.2	申请日期	2013-02-08
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-08-13	公开/公告号	CN103985753A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/78 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	朱慧珑
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	蔡纯

摘要

公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；半导体衬底中的阱区；阱区中的接触区；位于阱区上的夹层结构，该夹层结构包括背栅金属、位于背栅金属两侧的半导体鳍片、以及将背栅金属与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质，其中接触区和阱区作为背栅金属的导电路径的一部分，并且背栅金属经由接触区与阱区相连；与半导体鳍片相交的前栅堆叠，该前栅堆叠包括前栅电介质和前栅导体，并且前栅电介质将前栅导体和半导体鳍片隔开；位于背栅金属上方以及半导体鳍片上方的绝缘帽盖，并且绝缘帽盖将背栅金属与前栅导体隔开；以及与半导体鳍片提供的沟道区相连的源区和漏区。该半导体器件可以实现高集成度和低功耗。

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