MEMS三轴AMR磁力传感器及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110191336.0
IPC分类号：B81B7/02;B81C1/00;H01L43/08;H01L43/12
申请日期：
2021-02-20
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司

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著录项信息

专利名称	MEMS三轴AMR磁力传感器及其制造方法
申请号	CN202110191336.0	申请日期	2021-02-20
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-22	公开/公告号	CN113003532A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B7/02 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B7/00 微观结构系统〔7，2006.01〕 B81B7/02 包括功能上有特定关系的不同的电或光学装置，例如微电子—机械系统（MEMS）（B81B7/04优先）〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;1;B;7;/;0;2;;;B;8;1;C;1;/;0;0;;;H;0;1;L;4;3;/;0;8;;;H;0;1;L;4;3;/;1;2查看分类表>
申请人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	王俊杰
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	郭四华

摘要

本发明公开了一种MEMS三轴AMR磁力传感器，Z轴AMR磁力传感器形成在沟槽的侧面上，Z轴AMR磁力传感器的第一侧长度边缘位于沟槽的顶部并延伸到沟槽外的第一介质层的表面，Z轴AMR磁力传感器的第二侧长度边缘位于沟槽的底部表面上；Z轴电极的第一侧宽度边缘位于沟槽的顶部并延伸到Z轴AMR磁力传感器的第一侧长度边缘外的第一介质层的表面，Z轴电极的第二侧宽度边缘位于沟槽的底部的Z轴AMR磁力传感器上且位于Z轴AMR磁力传感器的第二侧长度边缘的内侧。本发明还公开了一种MEMS三轴AMR磁力传感器的制造方法。本发明能防止Z轴电极的刻蚀工艺在沟槽的底部形成微沟槽并同时能提高工艺窗口，能防止形成弱点区域并防止由于弱点区域而使器件失效，能提高产品良率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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