集成电路的电容器及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN97111154.5
IPC分类号：--
申请日期：
1997-05-12
申请人：
世界先进积体电路股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	集成电路的电容器及其制造方法
申请号	CN97111154.5	申请日期	1997-05-12
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1997-11-26	公开/公告号	CN1166054
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	世界先进积体电路股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	世界先进积体电路股份有限公司	当前权利人	世界先进积体电路股份有限公司
发明人	杨富量;郑湘原;何游俊;刘滨;葛兆民
代理机构	柳沈知识产权律师事务所	代理人	黄敏

摘要

一种高密度动态随机存取存储器电容器的制造方法.利用单一蚀刻在半导体衬底上制作电容器，该电容器由接触窗与金属氧化物半导体场效应晶体管的源极电接触。本发明可减少使用光刻胶的数量且将不去除限定的光刻胶而直接蚀刻该光刻胶与该多晶硅层形成电容，利用制作中产生的聚合物与蚀刻副产物为掩模形成电容器的底部电极，并可在同一步骤形成电容的凹槽结构与柱状体，该凹槽与柱状体将增加电容器的表面积，故可大量提高电容器的电性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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