一种褶皱状石墨烯的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510532088.6
IPC分类号：C01B32/186
申请日期：
2015-08-26
申请人：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所

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著录项信息

专利名称	一种褶皱状石墨烯的制备方法
申请号	CN201510532088.6	申请日期	2015-08-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-11-18	公开/公告号	CN105060286A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B32/186 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/36 （转入C01B 32/956-C01B 32/991） C01B32/15 纳米级碳材料〔2017.01〕 C01B32/182 石墨烯〔2017.01〕 C01B32/184 制备〔2017.01〕 C01B32/186 化学气相沉积〔CVD〕〔2017.01〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;2;/;1;8;6查看分类表>
申请人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	申请人地址	上海市长宁区长宁路865号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	当前权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人	狄增峰;戴家赟;王刚;郑晓虎;薛忠营;史晓华;张苗
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	余明伟

摘要

本发明提供一种褶皱状石墨烯的制备方法，包括：提供一催化基底，将所述催化基底放入生长腔室，往所述生长腔室通入碳源，并将所述催化基底加热至预设温度，在所述催化基底表面生长得到石墨烯；在非氧化性保护气氛下，调节降温速率，使所述石墨烯表面出现预设高度、宽度及密度的褶皱。本发明以催化基底例如半导体材料锗（体锗、绝缘体上锗、体硅上外延锗、三五族上外延锗等）为催化剂，通过气态或固态碳源在催化基底表面制备石墨烯，在非氧化性气氛保护下，调节降温速率(200℃/min‑1℃/min)，可以方便高效的控制制备的石墨烯表面褶皱的形貌（高度、宽度）及密度，制得的褶皱状石墨烯在传感器、柔性电子器件、生物等领域具有重要应用。

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