半导体结构的检测方法及其检测装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201910837420.8
IPC分类号：H01L21/66;H01L21/67;G06T7/00;G06T7/13
申请日期：
2019-09-05
申请人：
长江存储科技有限责任公司

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著录项信息

专利名称	半导体结构的检测方法及其检测装置
申请号	CN201910837420.8	申请日期	2019-09-05
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-01-14	公开/公告号	CN110690133A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/66 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/66 在制造或处理过程中的测试或测量〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;G;0;6;T;7;/;0;0;;;G;0;6;T;7;/;1;3查看分类表>
申请人	长江存储科技有限责任公司	申请人地址	湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长江存储科技有限责任公司	当前权利人	长江存储科技有限责任公司
发明人	魏强民;卢世峰;夏志良
代理机构	北京成创同维知识产权代理有限公司	代理人	蔡纯;冯丽欣

摘要

本申请公开了一种半导体结构的检测方法及其检测装置。该检测方法包括建立扭曲值与至少一个电学性能参数之间的关系对照表；获取透射电子显微镜输出的半导体结构的剖面图像，包括至少一个孔的截面图形，截面图形所在平面垂直于孔的轴向；识别孔的多个边界点，获得多个边界点对应的多个边界坐标；根据多个边界坐标进行椭圆的数值拟合，并获得椭圆的长轴与短轴；计算长轴与短轴的差值，将差值作为孔的扭曲值；以及根据关系对照表和孔的扭曲值，判断孔对应的电学性能参数是否满足合理范围。该检测方法将每个孔的长轴与短轴差值作为孔的扭曲程度的表征参数，从而量化了孔的扭曲程度，最终达到量化分析扭曲程度对电学性能影响的目的。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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