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用于控制半导体结构中沟槽轮廓的技术

发明专利有效专利

申请号：
CN200910137224.6
IPC分类号：H01L21/3065;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/027
申请日期：
2009-04-24
申请人：
飞兆半导体公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于控制半导体结构中沟槽轮廓的技术
申请号	CN200910137224.6	申请日期	2009-04-24
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2009-10-28	公开/公告号	CN101567314
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/3065 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/302 改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割〔2〕 H01L21/306 化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L 21/31；绝缘层的后处理入H01L 21/3105）〔2〕 H01L21/3065 等离子腐蚀；活性离子腐蚀〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7查看分类表>
申请人	飞兆半导体公司	申请人地址	美国缅因州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	飞兆半导体公司	当前权利人	飞兆半导体公司
发明人	陈晖;王琦;布赖恩特·哈沃德;潘南西
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	余刚;吴孟秋

摘要

一种形成半导体结构的方法包括以下步骤：利用掩模层在半导体区内形成沟槽，使得这些沟槽具有第一深度、沿其底部的第一宽度、和具有第一斜度的侧壁。去除掩模层，以及执行斜面蚀刻使沟槽的侧壁成锥形，使得所述侧壁具有小于所述第一斜度的第二斜度。

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