n型SiC单晶的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201180054125.7
IPC分类号：C30B29/36;C30B19/00
申请日期：
2011-11-04
申请人：
新日铁住金株式会社;丰田自动车株式会社

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著录项信息

专利名称	n型SiC单晶的制造方法
申请号	CN201180054125.7	申请日期	2011-11-04
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2013-07-17	公开/公告号	CN103210127A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/36 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/36 碳化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;6;;;C;3;0;B;1;9;/;0;0查看分类表>
申请人	新日铁住金株式会社;丰田自动车株式会社	申请人地址	日本爱知县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	丰田自动车株式会社	当前权利人	丰田自动车株式会社
发明人	楠一彦;龟井一人;矢代将齐;森口晃治;冈田信宏;旦野克典;大黑宽典
代理机构	北京林达刘知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘新宇;李茂家

摘要

本发明提供一种n型SiC单晶的制造方法，其能够抑制所制造的多个n型SiC单晶锭间的氮浓度的偏差。本实施方式的n型SiC单晶的制造方法包括：准备具备腔室(1)的制造装置(100)的工序，所述腔室(1)具有配置坩埚(7)的区域；将配置坩埚(7)的区域加热，并且将腔室(1)内的气体真空排气的工序；在真空排气后，将含有稀有气体和氮气的混合气体填充到腔室(1)内的工序；利用加热使配置于区域的坩埚(7)中容纳的原料熔融，生成含有硅和碳的SiC熔液(8)的工序；以及，在混合气体气氛下，将SiC晶种浸渍于SiC熔液，在SiC晶种上培养n型SiC单晶的工序。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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