介质温度化学汽相沉积方法

发明专利无效专利

申请号：
CN00804441.4
IPC分类号：--
申请日期：
2000-02-24
申请人：
钴碳化钨硬质合金公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	介质温度化学汽相沉积方法
申请号	CN00804441.4	申请日期	2000-02-24
法律状态	放弃专利权	申报国家	中国
公开/公告日	2002-03-27	公开/公告号	CN1342216
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	钴碳化钨硬质合金公司	申请人地址	美国宾夕法尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	钴碳化钨硬质合金公司	当前权利人	钴碳化钨硬质合金公司
发明人	K·E·安德考费尔
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	段承恩

摘要

本发明包括一种方法,该方法通过MT CVD工艺使至少一个基体涂有含碳氮化物的涂层,该方法包括:在反应室(10)内把一个或者多个基体(52)加热到反应温度,然后把沉积工艺气体加入到反应室(10)中,该沉积工艺气体包括大约1到大约30%卤化氢和预定量的碳/氮源、金属－卤素化合物、H2和任选的N2,因此在该一个或者多个基体(52)的表面上沉积一层含碳氮化物的涂层(48)。本发明还包括通过MT CVD工艺使至少一个基体(52)涂有含碳氮化物的涂层(48)的实施方案,该方法包括:在把沉积工艺气体加入到反应室内的期间,在反应室(10)内保持温度梯度。可通过该方法来施加的含碳氮化物的涂层(48)包括,Ti、Hf、Nb、V、Zr、Ta、这些金属的混合物、这些金属的合金的碳氮化物、氧碳氮化物和硼碳氮化物。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供