半导体存储器

发明专利无效专利

申请号：
CN02143453.0
IPC分类号：G11C11/34;H01L27/10
申请日期：
2002-03-29
申请人：
富士通株式会社

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体存储器
申请号	CN02143453.0	申请日期	2002-03-29
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-03-12	公开/公告号	CN1402255
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/34 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;3;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;0查看分类表>
申请人	富士通株式会社	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社索思未来	当前权利人	株式会社索思未来
发明人	山口秀策;内田敏也;柳下良昌;阪东能英;矢田雅大;奥田正树;小林广之;原浩太;藤冈伸也;藤枝和一郎
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	付建军

摘要

一种半导体存储器，其中形成用于再生第一存储器块的数据的多个第一存储器块和一个第二存储器块。当读命令与刷新命令彼此冲突时，读控制电路根据刷新命令访问第一存储器块并利用第二存储器块再生读数据。当写命令与刷新命令彼此冲突时，写控制电路根据命令接收的次序操作存储器块。因此，可能在不由用户识别的情况下执行刷新操作。即，提供用户友好的半导体存储器。并且，再生读数据使得可以输出读数据而没有访问时间上的延迟。这最终能实现对读命令的高速响应和高速数据传输速率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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