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一种高度可控制的CVD金刚石生长基片台

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201721069482.1
  • IPC分类号:C23C16/458
  • 申请日期:
    2017-08-25
  • 申请人:
    西安碳星半导体科技有限公司
著录项信息
专利名称一种高度可控制的CVD金刚石生长基片台
申请号CN201721069482.1申请日期2017-08-25
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/458IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;4;5;8查看分类表>
申请人西安碳星半导体科技有限公司申请人地址
陕西省西安市国家民用航天产业基地东长安街888号LED产业园1号楼1层厂房南半部 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安碳星半导体科技有限公司当前权利人西安碳星半导体科技有限公司
发明人碳星;蔺钢;李升
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本实用新型公开了一种高度可控制的CVD金刚石生长基片台,包括底座,所述底座的上表面竖直设有两个相互平行设置的第一立柱,所述第一立柱为中空结构,两个所述第一立柱中均竖直设有第二立柱,且第二立柱贯穿第一立柱的上端侧壁设置,两个所述第二立柱远离第一立柱的侧壁之间横向设有台体,两个所述第一立柱的侧壁均横向设有套筒,所述套筒中横向设有转杆,且转杆贯穿套筒和第一立柱的侧壁设置,位于所述第一立柱中的转杆一端设有齿轮,所述第二立柱的侧壁竖直设有与齿轮匹配的齿条,所述转杆为中空结构。本实用新型结构简单,操作方便,可对台体的高度进行调节,方便人员操作。

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