交变电场辅助光学元件表面刻蚀处理装置及处理方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810337980.2
IPC分类号：C03C15/00;C03B20/00
申请日期：
2018-04-16
申请人：
中国工程物理研究院激光聚变研究中心

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专利名称	交变电场辅助光学元件表面刻蚀处理装置及处理方法
申请号	CN201810337980.2	申请日期	2018-04-16
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-07-27	公开/公告号	CN108328935A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C03C15/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C03 玻璃；矿棉或渣棉 C03C 玻璃、釉或搪瓷釉的化学成分；玻璃的表面处理；由玻璃、矿物或矿渣制成的纤维或细丝的表面处理；玻璃与玻璃或与其他材料的接合 C03C15/00 纤维和丝之外的蚀刻法玻璃表面处理	IPC分类号	C;0;3;C;1;5;/;0;0;;;C;0;3;B;2;0;/;0;0查看分类表>
申请人	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	申请人地址	四川省绵阳市科学城绵山路64号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	当前权利人	中国工程物理研究院激光聚变研究中心
发明人	刘太祥;严鸿维;杨科;晏良宏;李合阳;张卓;袁晓东
代理机构	北京远大卓悦知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	贾晓燕

摘要

本发明公开了一种交变电场辅助光学元件表面刻蚀处理装置及处理方法，通过位置控制单元将平行电极板放置在储液槽内，将提拉臂的一端通过升降单元连接在第一丝杠的第一滑块上，通过控制第一伺服电机使提拉臂沿横臂梁移动至储液槽上方，将连接光学元件连接在提拉臂上，通过升降单元将待处理光学元件移动至储液槽内的平行电极板之间；在储液槽内注入刻蚀液；接通电源开关，通过交变电源使平行电极板间产生交变电场，同时开始光学元件表面蚀刻处理过程。本发明的装置能够对熔石英光学元件蚀刻处理过程中的化学反应进程进行有效控制，装置结构简单、价格便宜，运行时无噪声污染。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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