太空纳米级工艺长寿命高温电容的生产方法及装置

发明专利无效专利

申请号：
CN201110034502.2
IPC分类号：--
申请日期：
2011-02-02
申请人：
李崇新

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法律信息

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著录项信息

专利名称	太空纳米级工艺长寿命高温电容的生产方法及装置
申请号	CN201110034502.2	申请日期	2011-02-02
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-08-08	公开/公告号	CN102629517A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	李崇新	申请人地址	广西壮族自治区梧州市蝶山区蝶山一路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	李崇新	当前权利人	李崇新
发明人	李崇新
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种太空真空工艺多层叠片电容生产方法其特征主要是在太空真空环境下堆叠成多层片状电容，解决了现行解决了现行堆叠烧结工艺存在的陶瓷介质空洞裂纹和分层的问题，以及目前市场上NPO材质电容绝缘材质用到价贵稀土材料，存在成本高，配制工艺复杂成本高的问题；同时也解决了金属化电容的电老化与热老化等的问题；本发明的电容能在300多度高温下工作的长寿命电容，是一种军用级电容的生产方法和技术，体积比现行的叠层陶瓷电容缩小五倍左右；太空纳米级工艺电容可代规现行的叠层陶瓷电容钽电容以及金属化薄膜电容意义，本发明的电容生产方法是一种全新的革命性的电容生产方法。

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