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量子点发光二极管及其制造方法和量子点发光显示装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010548997.X
  • IPC分类号:H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32
  • 申请日期:
    2020-06-16
  • 申请人:
    乐金显示有限公司;韩国科学技术院
著录项信息
专利名称量子点发光二极管及其制造方法和量子点发光显示装置
申请号CN202010548997.X申请日期2020-06-16
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2020-12-25公开/公告号CN112133839A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/50IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;7;/;3;2查看分类表>
申请人乐金显示有限公司;韩国科学技术院申请人地址
韩国首尔 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人乐金显示有限公司,韩国科学技术院当前权利人乐金显示有限公司,韩国科学技术院
发明人金奎男;田德荣;赵贤珍;朴宣重
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人暂无
摘要
公开了一种量子点发光二极管及其制造方法和量子点发光显示装置。本公开提供了一种量子点QD发光二极管,其包括第一电极;面对所述第一电极的第二电极;位于所述第一电极和所述第二电极之间并且包括QD和有机材料的QD发光材料层;位于所述第一电极和所述QD发光材料层之间的空穴辅助层;以及位于所述QD发光材料层和所述第二电极之间的电子辅助层,其中,所述有机材料的最高占据分子轨道HOMO能级高于所述空穴辅助层的材料的HOMO能级。

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