一种电源芯片盲孔打孔工艺

发明专利有效专利

申请号：
CN202211153115.5
IPC分类号：C25D3/38;C25D5/10;C25D5/34;B23P17/00
申请日期：
2022-09-21
申请人：
广德宝达精密电路有限公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	一种电源芯片盲孔打孔工艺
申请号	CN202211153115.5	申请日期	2022-09-21
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2022-11-11	公开/公告号	CN115323444A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C25D3/38 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C25 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕 C25D 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸（印刷电路的金属沉积法制造入H05K 3/18）；工件的电解法接合；所用的装置（阳极或阴极保护入 C23F13/00；单晶生长入C30B）〔2，6〕 C25D3/00 电镀；其所用的镀液〔2〕 C25D3/02 溶液（C25D 5/24至C25D 5/32优先）〔2〕 C25D3/38 铜的〔2〕	IPC分类号	C;2;5;D;3;/;3;8;;;C;2;5;D;5;/;1;0;;;C;2;5;D;5;/;3;4;;;B;2;3;P;1;7;/;0;0查看分类表>
申请人	广德宝达精密电路有限公司	申请人地址	安徽省宣城市广德经济开发区(北环路以南、荆汤路以东、规划一路以北) 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广德宝达精密电路有限公司	当前权利人	广德宝达精密电路有限公司
发明人	沈剑祥;董涛
代理机构	合肥正则元起专利代理事务所（普通合伙）	代理人	任伟

摘要

本发明公开了一种电源芯片盲孔打孔工艺，涉及电源芯片盲孔领域，包括S1、电源芯片钻孔对电源芯片表面加工，在电源芯片的表面形成盲孔；S2、盲孔处理对电源芯片的表面进行磨刷和超声清洗，去除盲孔周围的毛刺，然后采用膨松剂、KMnO4除去盲孔内壁的胶渣；S3、化学沉铜对盲孔内壁进行化学沉铜处理，使盲孔的内壁沉积一层厚度为0.3μm‑0.5μm的铜；S4、闪镀铜在化学沉铜的盲孔内壁表层，通过闪镀铜工艺流程，使铜厚度进一步增加至3μm‑5μm；S5、电镀铜填孔；通过在电镀液中添加光亮剂、湿润剂和整平剂，可以提高电源芯片盲孔的填孔率，使盲孔的加工过程中更加平滑，盲孔填孔完成后更加平齐。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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