配备有热耗散装置的半导体部件和器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201110281389.8
IPC分类号：H01L23/367
申请日期：
2011-09-13
申请人：
意法半导体（格勒诺布尔2）公司

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著录项信息

专利名称	配备有热耗散装置的半导体部件和器件
申请号	CN201110281389.8	申请日期	2011-09-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-04-04	公开/公告号	CN102403286A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/367 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/34 冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置〔2，5〕 H01L23/36 为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器〔2〕 H01L23/367 为便于冷却的器件造型〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;6;7查看分类表>
申请人	意法半导体（格勒诺布尔2）公司	申请人地址	法国格勒诺布尔变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	意法半导体（格勒诺布尔2）公司	当前权利人	意法半导体（格勒诺布尔2）公司
发明人	R·科菲;Y·吉尤
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	王茂华

摘要

本发明涉及配备有热耗散装置的半导体部件和器件。该半导体部件，包括：片(5)，该片包括至少一个集成电路芯片(6)和密封块(7)，该集成电路芯片具有前电连接面(8)和后面(6a)，使得该芯片和该密封块的前面和后面分别形成该片的前面和后面，经由延伸穿过所述密封块(7)的电连接通孔(16)链接的前电连接网络(20)和后电连接网络(24)；以及至少覆盖该芯片的后面的热传递层(23)。该半导体器件，包括：所述部件和第二部件(3)，该第二部件位于该第一部件之后并与第一部件有一定距离；在该第一部件和该第二部件之间插入的多个连接元件(4)，包括与该第一部件的该金属热传递层(23)接触的第一热连接元件(4a)和在该部件之间的第二电连接元件(4b)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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