自防损功率SIP模块封装结构及其封装方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011575824.3
IPC分类号：H01L23/488;H01L23/367;H01L23/427;H01L23/433;H01L21/50;H05K3/34
申请日期：
2020-12-28
申请人：
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	自防损功率SIP模块封装结构及其封装方法
申请号	CN202011575824.3	申请日期	2020-12-28
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-20	公开/公告号	CN112687646A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/488 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;4;2;7;;;H;0;1;L;2;3;/;4;3;3;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;5;K;3;/;3;4查看分类表>
申请人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司	申请人地址	江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司	当前权利人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人	丁飞;王启东;侯峰泽;丁才华;曹立强
代理机构	上海智晟知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	张东梅

摘要

本发明提供了一种自防损功率SIP模块封装结构及其封装方法，包括：功率SIP模块，被配置为容置功率芯片；PCB母板，被配置为承载一个或多个功率SIP模块；分离装置，被配置为连接在功率SIP模块与PCB母板之间，当分离装置吸收的热量超过阈值时，将功率SIP模块与PCB母板分离；制作功率SIP模块，将功率芯片封装于功率SIP模块中；在功率SIP模块的第一面上制作分离装置，将分离装置附连至PCB母板上；当分离装置吸收的热量超过阈值时，将功率SIP模块与PCB母板分离。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供