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一种将半导体衬底主体与其上功能层进行分离的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201680053855.8
  • IPC分类号:H01L21/762
  • 申请日期:
    2016-09-14
  • 申请人:
    胡兵
著录项信息
专利名称一种将半导体衬底主体与其上功能层进行分离的方法
申请号CN201680053855.8申请日期2016-09-14
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2018-06-08公开/公告号CN108140608A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人胡兵申请人地址
江苏省南京市玄武区台城路台城花园5幢101室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人胡兵当前权利人胡兵
发明人胡兵;马亮;裴晓将;刘素绢
代理机构北京科家知识产权代理事务所(普通合伙)代理人戴丽伟
摘要
一种将半导体衬底主体(2)与其上功能层进行分离的方法,包括以下步骤:在半导体衬底(1)上表面进行离子注入,离子注入深度为0.1μm‑100μm,离子注入后在半导体衬底(1)表面下产生一层离子损伤层(3);在半导体衬底(1)上表面制备功能层;将半导体衬底(1)和其上功能层进行分离。该方法在离子注入后的衬底(1)上先进行功能层的制备,然后在离子损伤层(3)进行分离,且直接在半导体衬底(1)表面进行电子器件的制备,由于离子的注入深度决定了半导体衬底(1)的厚度,半导体衬底(1)具有与SOI薄膜相同的作用效果,且不需要键合工艺,减少了生产工艺,降低了生产成本。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供