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用于形成半导体器件的微细图案的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610167776.8
IPC分类号：G03F7/16;G03F7/20;G03F7/38
申请日期：
2006-12-18
申请人：
海力士半导体有限公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于形成半导体器件的微细图案的方法
申请号	CN200610167776.8	申请日期	2006-12-18
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2007-08-29	公开/公告号	CN101025569
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F7/16 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F7/00 图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L 21/00，H05K）〔3，5〕 G03F7/16 涂层处理及其设备（用于基底材料涂层一般入B05；用于摄影目的而施加到基底上的感光成分入G03C 1/74）	IPC分类号	G;0;3;F;7;/;1;6;;;G;0;3;F;7;/;2;0;;;G;0;3;F;7;/;3;8查看分类表>
申请人	海力士半导体有限公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	海力士半导体有限公司	当前权利人	海力士半导体有限公司
发明人	郑载昌
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	顾红霞;张天舒

摘要

一种用于形成半导体器件的微细图案的方法，包括：形成光阻剂层，所述光阻剂层包括具有第一图案密度的第一光阻剂图案区以及具有比所述第一图案密度更密集的第二图案密度的第二光阻剂图案区；使用曝光掩模来执行曝光工序，以便曝光第一和第二光阻剂图案区的其中一个；以及在所获得的结构上执行阻剂流动工序。

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