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表面等离子体共振样品台及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110285484.5
  • IPC分类号:G01N21/01;G01N21/63
  • 申请日期:
    2011-09-23
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称表面等离子体共振样品台及其制备方法
申请号CN201110285484.5申请日期2011-09-23
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2013-04-03公开/公告号CN103018167A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N21/01IPC分类号G;0;1;N;2;1;/;0;1;;;G;0;1;N;2;1;/;6;3查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人史丽娜;李海亮;杜宇禅;朱效立;李冬梅;谢常青;刘明
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人宋焰琴
摘要
本发明公开了表面等离子体共振样品台及其制备方法。该表面等离子体共振样品台包括:支撑结构;形成于所述支撑结构上的金属薄膜;形成于所述金属薄膜上的金属纳米颗粒周期阵列,用于承载待测生物样品,由所述金属纳米颗粒周期阵列的布拉格散射提供激发所述待测生物样品表面等离子体所需要的波矢匹配。本发明表面等离子体共振样品台采用金属纳米颗粒周期结构激发表面等离子体,体积小,易于携带。

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