在磁存储器中的被包敷的导线的结构及制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201080010948.5
IPC分类号：G11C11/00
申请日期：
2010-01-25
申请人：
艾沃思宾技术公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	在磁存储器中的被包敷的导线的结构及制造方法
申请号	CN201080010948.5	申请日期	2010-01-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-02-08	公开/公告号	CN102349110A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;0;0查看分类表>
申请人	艾沃思宾技术公司	申请人地址	美国亚利桑那变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	艾沃思宾技术公司	当前权利人	艾沃思宾技术公司
发明人	K·H·史密斯;N·D·里佐;S·阿加瓦尔;A·斯安赛奥;B·R·巴特切尔
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	党建华

摘要

一种形成磁电子器件的方法，包括：形成围绕磁位的电介质材料；以不暴露所述磁位的方式，蚀刻所述电介质材料以在所述磁位上限定开口，所述开口具有侧壁；在所述电介质材料上方、包括在所述侧壁上方沉积包敷材料的覆盖层；通过溅射工艺去除所述开口底部的所述覆盖层和在所述磁位上方的所述电介质材料；以及在所述开口内形成导电材料以形成位线。这样的工艺降低了由于工艺不规则性导致的错误，该工艺不规则性例如是位的边缘的突出从而引起的形成于其上方的包敷层中的缺陷。这样形成的位线或数字线可以是可选地在其端部逐渐变细，以防止在位线或数字线的端部没有逐渐变细情况下，由于外部磁场导致的可能会发生的该位线的磁矩的反向磁化。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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