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一种GaN衬底转移石墨烯的退火工艺及制作的器件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210408235.5
  • IPC分类号:H01L21/324
  • 申请日期:
    2012-10-22
  • 申请人:
    西安电子科技大学
著录项信息
专利名称一种GaN衬底转移石墨烯的退火工艺及制作的器件
申请号CN201210408235.5申请日期2012-10-22
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2013-01-30公开/公告号CN102903631A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/324IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;2;4查看分类表>
申请人西安电子科技大学申请人地址
陕西省西安市雁塔区太白南路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安电子科技大学当前权利人西安电子科技大学
发明人宁静;王东;韩砀;闫景东;柴正;张进成;郝跃
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种GaN衬底转移石墨烯的退火工艺,采用高温退火的方式,修复衬底转移过程中产生的石墨烯缺陷,进一步去除转移过程中没能去除或是新引进的杂质。同时,高温退火还可以使衬底与石墨烯接触得到改善,接触均匀性大大提高,为GaN衬底和石墨烯两者的优势结合提供保障。最终使转移石墨烯表面更洁净,缺陷更少,石墨烯平整与GaN衬底接触更好。本发明由于采用在Ar气气氛中较低温度退火,有效的去除石墨烯表面吸附的水分子和其他杂质分子,由于采用高于700℃的高退火温度,得以形成衬底上附着石墨烯与GaN衬底的有效接触。

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