具有高度梯度的微通道结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201921224857.6
IPC分类号：H01L23/473;H01L23/367;H05K7/20
申请日期：
2019-07-31
申请人：
湖南昇微新材料有限公司

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著录项信息

专利名称	具有高度梯度的微通道结构
申请号	CN201921224857.6	申请日期	2019-07-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/473 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/34 冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置〔2，5〕 H01L23/46 包含有用流动流体传导热的（H01L 23/42，H01L 23/44优先）〔2〕 H01L23/473 通过流动液体的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;7;3;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;5;K;7;/;2;0查看分类表>
申请人	湖南昇微新材料有限公司	申请人地址	湖南省长沙市岳麓区高新区麓谷大道658号麓谷信息港A座16楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湖南昇微新材料有限公司	当前权利人	湖南昇微新材料有限公司
发明人	刘鹏;车颜贤;陈雷
代理机构	长沙楚为知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	邓维

摘要

本实用新型公开一种具有高度梯度的微通道结构，包括基板，所述基板内设有第一级通道、第二级通道、···、第N级通道，N≧3，所述第二级通道包括从所述第一级通道分支出来的多个，所述第N级通道从第N‑1级通道上分支出，所述第一级通道、···、第N级通道依次连接构成微通道，所述微通道的高度由所述第一级通道至第N级通道按级以第一规定梯度减少。本实用新型微通道内每一级通道的高度和宽度比上一级通道的高度减少，相比于等截面的通道结构，能有效提高微通道内流体的流通速度，当所述微通道结构用作换热器时，起到加速散热冷却的作用。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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