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一种形成通孔的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010124583.0
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L23/522
  • 申请日期:
    2010-03-11
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称一种形成通孔的方法
申请号CN201010124583.0申请日期2010-03-11
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-09-21公开/公告号CN102194735A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人符雅丽;张海洋
代理机构北京市磐华律师事务所代理人董巍;顾珊
摘要
本发明提供了一种形成通孔的方法,包括提供前端器件层;在前端器件层的表面沉积刻蚀停止层;在刻蚀停止层的表面形成层间介质层;在层间介质层的表面形成硬掩膜层;在硬掩膜层的表面形成抗反射层;在所述抗反射层的表面形成光刻胶层;采用曝光显影工艺,形成具有开口图案的光刻胶层;对具有开口图案的光刻胶层进行等离子体放电处理;以具有开口图案的光刻胶层为掩膜,依次刻蚀抗反射层、硬掩膜层和层间介质层,直到刻蚀到刻蚀停止层为止。根据本发明,能够解决由于光刻胶开口处残余物的存在导致刻蚀后形成的通孔的关键尺寸与设定值不一致的问题。

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