有机抗反射化合物及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN01123292.7
IPC分类号：C08F20/14;C09D133/08
申请日期：
2001-06-30
申请人：
海力士半导体有限公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	有机抗反射化合物及其制备方法
申请号	CN01123292.7	申请日期	2001-06-30
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2002-01-16	公开/公告号	CN1331256
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C08F20/14 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C08 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 C08F 仅用碳-碳不饱和键反应得到的高分子化合物（由低碳烃制造液态烃混合物，例如通过齐聚作用入C10G 50/00；发酵或使用酶的方法合成目标化合物或组合物或从外消旋混合物中分离旋光异构体入C12P；含有碳-碳不饱和键的单体接枝聚合到纤维、丝线、纱线、织物或用这些材料制成的纤维制品入D06M 14/00）〔2〕 C08F20/00 具有1个或更多的不饱和脂族基化合物的均聚物或共聚物，每个不饱和脂族基只有1个碳-碳双键，并且只有1个是以羧基或它的盐、酐、酯、酰胺、酰亚胺或腈为终端〔2〕 C08F20/02 具有少于10个碳原子的一元羧酸；它的衍生物〔2〕 C08F20/10 酯〔2〕 C08F20/12 一元醇或酚的〔2〕 C08F20/14 甲酯〔2〕	IPC分类号	C;0;8;F;2;0;/;1;4;;;C;0;9;D;1;3;3;/;0;8查看分类表>
申请人	海力士半导体有限公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	海力士半导体有限公司	当前权利人	海力士半导体有限公司
发明人	洪圣恩;郑旼镐;郑载昌;李根守;白基镐
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	黄益芬

摘要

一种具有下式1的有机抗反射聚合物、其制备方法、一种含有所述有机抗反射聚合物的抗反射涂料组合物、和由其制得抗反射涂层的制备方法。该包含所公开聚合物的抗反射涂层消除了由晶片的下层光学性能和光刻胶的厚度变化所引起的驻波，防止了由于从下层衍射和反射的光引起的回射和CD变换。这些优点使得能够形成适用于64M、256M、1G、4G和16G DRAM半导体器件的稳定的超微图案，并提高生产产率。而且，还能控制K值并且增加疏水性，有助于形成EBR(流珠式除水)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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