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功率半导体装置的制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210032642.0
  • IPC分类号:H01L21/336
  • 申请日期:
    2012-02-13
  • 申请人:
    茂达电子股份有限公司
著录项信息
专利名称功率半导体装置的制作方法
申请号CN201210032642.0申请日期2012-02-13
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2013-07-03公开/公告号CN103187303A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人茂达电子股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人茂达电子股份有限公司当前权利人茂达电子股份有限公司
发明人林永发;徐守一;吴孟韦;张家豪
代理机构深圳新创友知识产权代理有限公司代理人江耀纯
摘要
本发明公开了一种功率半导体装置的制作方法,其特征在于包括提供一基底,其具有一第一导电型;在所述的基底上形成一半导体层,其具有一第二导电型;在所述的半导体层上形成一硬掩模图案,其具有至少一开口,显露出部分的所述的半导体层;进行第一次沟渠蚀刻,经由所述的开口蚀刻所述的半导体层中,而形成一第一沟渠;进行第一次离子注入工艺,垂直将第一掺质经由所述的开口注入所述的第一沟渠的底部,而形成一第一掺杂区;及进行第二次沟渠蚀刻,经由所述的开口蚀穿所述的第一掺杂区,而形成一第二沟渠。

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