与非闪存装置的多输入/输出修复方法及其与非闪存装置

发明专利无效专利

申请号：
CN200510005784.8
IPC分类号：--
申请日期：
2005-01-25
申请人：
海力士半导体有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	与非闪存装置的多输入/输出修复方法及其与非闪存装置
申请号	CN200510005784.8	申请日期	2005-01-25
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-11-16	公开/公告号	CN1697085
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	海力士半导体有限公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	海力士半导体有限公司	当前权利人	海力士半导体有限公司
发明人	朴镇寿
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	黄小临;王志森

摘要

本发明公开了一种“与非”闪存装置的多输入/输出修复方法及其“与非”闪存装置。根据本发明，在页缓冲区系置于主阵列和冗余阵列的上方和下方并具有不同的数据线的“与非”闪存装置中，系根据外部地址选取该冗余阵列的上方/下方页缓冲区，且数据会在冗余数据线上传输，而该数据最后会经由数据线选择单位而被选取。因此，在本发明中，若要修复具有不同地址的主行，可以一对一地将其以冗余行替换，并因此可达到具有相同地址的两主行的多输入/输出修复。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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