高铊粗镉的真空冶炼方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510011050.0
IPC分类号：C22B9/04;C22B17/00
申请日期：
2005-10-08
申请人：
昆明理工大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	高铊粗镉的真空冶炼方法
申请号	CN200510011050.0	申请日期	2005-10-08
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-03-29	公开/公告号	CN1752233
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C22B9/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C22 冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理 C22B 金属的生产或精炼（金属粉末或其悬浮物的制取入B22F 9/00；电解法或电泳法生产金属入C25）；原材料的预处理 C22B9/00 金属精炼或重熔的一般方法；金属电渣或电弧重熔的设备 C22B9/04 真空精炼〔3〕	IPC分类号	C;2;2;B;9;/;0;4;;;C;2;2;B;1;7;/;0;0查看分类表>
申请人	昆明理工大学	申请人地址	云南省昆明市学府路253号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	昆明理工大学	当前权利人	昆明理工大学
发明人	杨斌;戴永年;杨部正;刘永成;刘大春;马文会;唐万启;陈为亮;李伟宏;徐宝强;姚耀春;周晓奎
代理机构	昆明慧翔专利事务所	代理人	程韵波

摘要

本发明涉及一种高铊粗镉的真空冶炼方法，采用含量为0.1～5wt%铊的粗镉为原料，熔融状态的原料进入真空炉中，控制真空度为1～10Pa，温度为380～460℃，保持真空度和温度不变，冶炼时间30～90min，使镉在真空低压条件下挥发，铊不挥发，可以使镉中铊的含量降到0.0015～0.002wt%，得到纯度大于99.99%的镉，达到精镉的要求。具有工艺流程简单、成本低、对环境污染小的特点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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