加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

双镶嵌结构制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910194919.8
  • IPC分类号:H01L21/768
  • 申请日期:
    2009-08-31
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称双镶嵌结构制作方法
申请号CN200910194919.8申请日期2009-08-31
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2011-04-06公开/公告号CN102005409A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人周鸣;牛孝昊
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人李丽
摘要
一种双镶嵌结构制作方法,包括:在基底上依次形成第一介电材料层和第二介电材料层,其中,所述第二介电材料层覆盖所述第一介电材料层,且所述第二介电材料的硬度大于所述第一介电材料的硬度;分别在所述第一介电材料层和所述第二介电材料层中,形成沟槽和管孔,并在所述沟槽和所述管孔中沉积金属材料;去除多余的金属材料的同时,去除所述第二介电材料层,使所述第一介电材料层表面具有低厚度的所述第二介电材料层或不具有所述第二介电材料层。本发明在不增加工艺复杂度的情况下,减小硬度小的第一介电材料层被刮伤或磨损的几率,保证了器件不仅具有良好的介电性能,还具有高稳定性、高产品良率以及良好的传输性能。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供