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读取电路及非易失性存储器

发明专利有效专利

申请号：
CN202110682458.X
IPC分类号：G11C16/26;G11C16/24;G11C16/08;G11C16/30
申请日期：
2021-06-21
申请人：
上海亿存芯半导体有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	读取电路及非易失性存储器
申请号	CN202110682458.X	申请日期	2021-06-21
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-08-13	公开/公告号	CN113257322A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/26 读出或读电路；数据输出电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;2;6;;;G;1;1;C;1;6;/;2;4;;;G;1;1;C;1;6;/;0;8;;;G;1;1;C;1;6;/;3;0查看分类表>
申请人	上海亿存芯半导体有限公司	申请人地址	上海市浦东新区自由贸易试验区盛夏路608号2幢105室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海亿存芯半导体有限公司	当前权利人	上海亿存芯半导体有限公司
发明人	蔡晓波;任建军
代理机构	上海恒锐佳知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	黄海霞

摘要

本发明提供了一种非易失性存储单元的读取电路，包括用于与存储单元连接的位线，与所述位线连接的读出电路，以从所述存储单元读取数据，与所述读出电路连接的感测电路，用于将所述存储单元的漏电流和所述读出电路的参考电流叠加作为新参考电流，以消除漏电流的影响，提高了读取数据的可靠性。本发明还提供了一种应用非易失性存储单元的读取电路的非易失性存储器。

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