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金电极与碲锌镉晶片接触电阻率的测试方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811040713.5
  • IPC分类号:H01L21/66
  • 申请日期:
    2018-09-07
  • 申请人:
    上海大学
著录项信息
专利名称金电极与碲锌镉晶片接触电阻率的测试方法
申请号CN201811040713.5申请日期2018-09-07
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-03-12公开/公告号CN109461668A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/66IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人上海大学申请人地址
上海市宝山区上大路99号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海大学当前权利人上海大学
发明人梁小燕;闵嘉华;梁世金;王坤元;吴鹏飞;陈沛;钱奕明;金程威;赵书浩;秦美琪;张继军;王林军;师好智
代理机构上海上大专利事务所(普通合伙)代理人暂无
摘要
本发明涉及一种金电极与碲锌镉晶片接触电阻率的测试方法。本发明利用探测器用碲锌镉晶体材料尺寸要求,采用环体材料的线型电极制备不同间距的传输环,并结合化学沉积金电极的灵活性及与碲锌镉良好的欧姆接触特性,有效避免样品台面和电极接触的余量引入寄生电阻,同时仍然可利用简易的线性传输模型计算模型进行数据处理,而且测得的接触电阻率更全面地反映体材料各个面的表面状态对接触电阻率的影响。

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