铜基复合材料及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200310104169.3
IPC分类号：H01B1/02;H01B13/00;C22C9/00;C22C1/02;B22D7/00;B21F21/00
申请日期：
2003-12-26
申请人：
昆明贵金属研究所

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著录项信息

专利名称	铜基复合材料及其制备方法
申请号	CN200310104169.3	申请日期	2003-12-26
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-12-15	公开/公告号	CN1555065
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01B1/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01B 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择（磁性材料的选择入H01F 1/00；波导管入H01P） H01B1/00 按导电材料特性区分的导体或导电物体；用作导体的材料选择（按材料特性区分的超导或高导导体、电缆或传输线入H01B 12/00）〔4〕 H01B1/02 主要由金属或合金组成的	IPC分类号	H;0;1;B;1;/;0;2;;;H;0;1;B;1;3;/;0;0;;;C;2;2;C;9;/;0;0;;;C;2;2;C;1;/;0;2;;;B;2;2;D;7;/;0;0;;;B;2;1;F;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人	昆明贵金属研究所	申请人地址	云南省昆明市二环北路核桃箐（昆明贵金属研究所）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	昆明贵金属研究所	当前权利人	昆明贵金属研究所
发明人	宁远涛;张婕;秦国义
代理机构	昆明正原专利代理有限责任公司	代理人	赛晓刚

摘要

本发明涉及高强度高导电率铜基复合材料及其制备方法。铜基复合材料成分质量%为Ag8～15、Cu85～92，Cu基体中分布有沿加工方向延伸的金属Ag纤维，Ag纤维间相互平行且间距相等。其制备方法依次包括下列工艺步骤①氩气氛中熔炼Ag、Cu原料，铸锭，控制铸锭凝固冷却速率10～1000K/s；②机械冷加工所得到的铸锭，控制机械冷加工真实应变η＝2.0～3.5，于氩气氛中热处理；③冷拉拔所得坯锭得到丝材，控制冷拉拔的真实应变为η＝4.0～7.0。本发明的铜基复合材料同时具有高强度高导电率的特点，其最大强度值可达UTS＝1.5GPa，导电率＝60%IACS。该材料可用于高强脉冲磁场及其它需要高强度和高导电率综合性能的领域。

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