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一种半导体刻蚀前去除颗粒的工艺

发明专利有效专利

申请号：
CN200510126285.4
IPC分类号：H01L21/302;H01L21/3065;C23F1/10
申请日期：
2005-12-02
申请人：
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种半导体刻蚀前去除颗粒的工艺
申请号	CN200510126285.4	申请日期	2005-12-02
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2006-10-25	公开/公告号	CN1851869
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/302 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/302 改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5;;;C;2;3;F;1;/;1;0查看分类表>
申请人	北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司	申请人地址	北京经济技术开发区文昌大道8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京北方华创微电子装备有限公司	当前权利人	北京北方华创微电子装备有限公司
发明人	荣延栋
代理机构	北京路浩知识产权代理有限公司	代理人	司君智

摘要

本发明提供了一种半导体刻蚀前去除颗粒的工艺，即对硅片进行预处理的工艺，该工艺包括两个步骤：(1)颗粒激活；(2)颗粒去除。本发明的工艺能够在紧邻刻蚀工艺步骤前对硅片进行清洁处理，达到颗粒控制的最佳效果。

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