可调谐分布反馈量子级联激光器阵列器件及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310447427.1
IPC分类号：H01S5/34;H01S5/22
申请日期：
2013-09-27
申请人：
中国科学院半导体研究所

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专利名称	可调谐分布反馈量子级联激光器阵列器件及其制备方法
申请号	CN201310447427.1	申请日期	2013-09-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-01-01	公开/公告号	CN103490280A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/34 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/30 激活区的结构或形状；用于激活区的材料〔7〕 H01S5/34 含有量子阱的或超晶格结构的，例如单量子阱激光器〔SQW-激光器〕、多量子阱激光器〔MQW-激光器〕，缓变折射率（光电）分别限制异质结构激光器〔GRINSCH-激光器〕（H01S5/36优先）〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;3;4;;;H;0;1;S;5;/;2;2查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	闫方亮;张锦川;姚丹阳;谭松;王利军;刘峰奇;王占国
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	宋焰琴

摘要

本发明公开了一种可调谐分布反馈量子级联激光器阵列器件及其制备方法。所述阵列器件包括：在衬底上依次生长的下波导层、下限制层、有源区、上限制层、上波导层、梯度掺杂盖层和高掺层；阵列器件，其包含多个DFB激光器，每个DFB激光器具有脊型波导结构，且脊型波导的一侧留有引线区；脊上面的高掺层上为取样布拉格光栅结构，阵列中不同DFB激光器脊型波导上面的取样布拉格光栅具有不同的取样周期；二氧化硅层，其覆盖了整个脊型波导结构的表面区域；正面电极层，其生长在二氧化硅层的上面及高掺层取样布拉格光栅的上面；电隔离沟，其位于阵列器件中两个DFB激光器的脊型波导结构之间；背面金属电极层，其生长在衬底的下表面。

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