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发光二极管

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201220315017.2
  • IPC分类号:H01L33/48;H01L33/60
  • 申请日期:
    2012-06-29
  • 申请人:
    无锡中铂电子有限公司
著录项信息
专利名称发光二极管
申请号CN201220315017.2申请日期2012-06-29
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/48IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;0查看分类表>
申请人无锡中铂电子有限公司申请人地址
江苏省无锡市光电新材料科技园会岸路88号601 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡中铂电子有限公司当前权利人无锡中铂电子有限公司
发明人黄方
代理机构常州市维益专利事务所代理人何学成
摘要
本实用新型涉及光电技术领域,具体涉及光电领域中的一种发光二极管,包括一端封闭、一端敞开的半圆形壳体,在半圆形壳体内设置有发光芯片,半圆形壳体内壁设置有第一反光层,在半圆形壳体下方设置有上下贯通的壳体,壳体的上端与半圆形壳体固定连接,壳体的下端设置有透光罩,所述壳体的内壁设置有第二反光层。发光芯片发出的光线通过第一反光层的反射,从半圆形壳体的敞开端进入壳体内,并由壳体内的第二反光层再次进行反射,从透光罩照射出去,其通过两次的集中反射,既能将光线集中,又能提高了发射光线的强度。

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