碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410124924.2
IPC分类号：C01B32/16;B82Y30/00;B82Y40/00
申请日期：
2014-03-31
申请人：
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司

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专利名称	碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法
申请号	CN201410124924.2	申请日期	2014-03-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-09-30	公开/公告号	CN104944408A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B32/16 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/36 （转入C01B 32/956-C01B 32/991） C01B32/15 纳米级碳材料〔2017.01〕 C01B32/158 碳纳米管〔2017.01〕 C01B32/16 制备〔2017.01〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;2;/;1;6;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司	申请人地址	北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学,鸿富锦精密工业（深圳）有限公司	当前权利人	清华大学,鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
发明人	魏洋;魏浩明;姜开利;范守善
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提供一种碳纳米管阵列的转移方法，提供一代替基底及一生长基底，该生长基底表面具有碳纳米管阵列；将该代替基底设置在该碳纳米管阵列的第二表面，并使该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间具有水；使位于该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间的水变为冰；通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底；以及通过升温去除位于该代替基底与该碳纳米管阵列之间的冰，去除冰后该碳纳米管阵列的形态仍能够使得一碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出。

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