单晶制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201480065877.7
IPC分类号：C30B29/06;C30B15/10
申请日期：
2014-11-12
申请人：
信越半导体株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	单晶制造方法
申请号	CN201480065877.7	申请日期	2014-11-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-07-20	公开/公告号	CN105793475A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕 C30B29/06 硅〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;1;5;/;1;0查看分类表>
申请人	信越半导体株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	信越半导体株式会社	当前权利人	信越半导体株式会社
发明人	宫原祐一;高岛祥;泽崎康彦;岩崎淳
代理机构	北京路浩知识产权代理有限公司	代理人	谢顺星;张晶

摘要

本发明提供一种利用CZ法的单晶制造方法，其预先求出在石英坩埚的制造中使用的石英原料粉中包含的Al/Li比、石英坩埚的使用时间、该使用时间内的失透比例、是否发生由失透部分引起的漏液的相关关系，基于该相关关系，以不会发生漏液的方式设定生长单晶时使用的石英坩埚的失透比例的范围，以落入该设定的比例的范围内的方式，根据在石英坩埚的制造中使用的石英原料粉中包含的Al/Li比来确定石英坩埚的最大使用时间，在该最大使用时间的范围内使用石英坩埚进行单晶的生长。由此，提供一种能够在防止发生漏液的同时高效地使用石英坩埚进行单晶的生长的制造方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供