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基于PN结电隔离和阳极键合技术的MEMS电容式气压传感器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911195103.7
  • IPC分类号:G01L9/12;B81C3/00
  • 申请日期:
    2019-11-28
  • 申请人:
    北京遥测技术研究所;航天长征火箭技术有限公司
著录项信息
专利名称基于PN结电隔离和阳极键合技术的MEMS电容式气压传感器
申请号CN201911195103.7申请日期2019-11-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-04-21公开/公告号CN111044206A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01L9/12IPC分类号G;0;1;L;9;/;1;2;;;B;8;1;C;3;/;0;0查看分类表>
申请人北京遥测技术研究所;航天长征火箭技术有限公司申请人地址
北京市丰台区北京市9200信箱74分箱 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京遥测技术研究所,航天长征火箭技术有限公司当前权利人北京遥测技术研究所,航天长征火箭技术有限公司
发明人郭伟龙;焦海龙;杨挺;王晓宇;冯建;尹玉刚;金小锋
代理机构中国航天科技专利中心代理人张辉
摘要
本发明公开了基于PN结电隔离和阳极键合技术的MEMS电容式气压传感器,包括气压敏感膜、玻璃基片和玻璃盖板;气压敏感膜的一面与玻璃基片阳极键合形成真空参考腔,气压敏感膜的另一面与玻璃盖板阳极键合形成开放式气体感压腔,外部气压施加在气压敏感膜上,与真空参考腔形成压差使气压敏感膜变形,继而改变了气压敏感膜与玻璃基片之间电容极板间距,使电容值发生变化而反应外界气压大小。本发明同时公开了MEMS电容式气压传感器的加工工艺。本发明电容式气压传感器加工工艺简单,成品率高,商业化效果好。

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