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动态随机存取存储器的位线栅极结构及形成方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201611246141.7
  • IPC分类号:H01L27/108
  • 申请日期:
    2016-12-29
  • 申请人:
    联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
著录项信息
专利名称动态随机存取存储器的位线栅极结构及形成方法
申请号CN201611246141.7申请日期2016-12-29
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2018-07-06公开/公告号CN108257958A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/108IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;0;8查看分类表>
申请人联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司申请人地址
中国台湾新竹市新竹科学工业园区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司当前权利人联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
发明人吴姿锦;刘玮鑫;陈意维;陈美玲;张家隆;张景翔;李瑞珉;郑存闵;卢琳蓁;邹世芳;张凯钧;蔡志杰;陈姿洁;吴佳臻
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陈小雯
摘要
本发明公开一种形成动态随机存取存储器的位线栅极结构及形成方法,该形成方法包含有形成一硬掩模层于一金属堆叠结构上,其中硬掩模层是以一化学气相沉积制作工艺形成,且化学气相沉积制作工艺先通入氮气再通入氨气。另外,本发明更提供一种以此方法形成的动态随机存取存储器的位线栅极结构,包含有一金属堆叠结构以及一硬掩模。金属堆叠结构由下至上包含一多晶硅层、一钛层、一氮化钛层、一第一氮化钨层、一钨层以及一第二氮化钨层。硬掩模设置于金属堆叠结构上。

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