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一种双面晶硅太阳能电池及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811604862.X
  • IPC分类号:H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/047;H01L31/18
  • 申请日期:
    2018-12-26
  • 申请人:
    苏州腾晖光伏技术有限公司;南京航空航天大学
著录项信息
专利名称一种双面晶硅太阳能电池及其制作方法
申请号CN201811604862.X申请日期2018-12-26
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2019-03-12公开/公告号CN109461783A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/068
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;6;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;4;7;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人苏州腾晖光伏技术有限公司;南京航空航天大学申请人地址
江苏省苏州市常熟沙家浜常昆工业园腾晖路1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州腾晖光伏技术有限公司,南京航空航天大学当前权利人苏州腾晖光伏技术有限公司,南京航空航天大学
发明人张树德;魏青竹;倪志春;钱洪强;连维飞;胡党平;王泽辉
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人罗满
摘要
本发明公开了一种双面晶硅太阳能电池,所述双面晶硅太阳能电池由第一迎光面至第二迎光面依次包括第一电极、P型半导体层、N型基体、介质层及第二电极;所述介质层为带高固定负电荷的介质层;所述介质层在所述N型基体与所述介质层接触的表面感应形成P型反型层;所述介质层具有与所述第二电极相配合的图案,使所述第二电极可直接与所述N型基体接触。本发明会在N型基体的第二迎光面表面附近形成浮动结,抑制了第二迎光面的表面复合,增大了双面晶硅太阳能电池的光电转换效率,同时,上述介质层可由简单的沉积工艺设置,相较于现有技术,成本低廉,工艺简单。本发明还同时提供了一种具有上述有益效果的双面晶硅太阳能电池的制作方法。

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