一种大尺寸BBO晶体快速生长的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310115179.0
IPC分类号：C30B15/12;C30B29/22
申请日期：
2013-04-07
申请人：
福建福晶科技股份有限公司

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专利名称	一种大尺寸BBO晶体快速生长的方法
申请号	CN201310115179.0	申请日期	2013-04-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-07-31	公开/公告号	CN103225108A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B15/10 承载熔融液的坩埚或容器〔3〕 C30B15/12 双坩埚法〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;1;2;;;C;3;0;B;2;9;/;2;2查看分类表>
申请人	福建福晶科技股份有限公司	申请人地址	福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园F区9号楼福晶科技园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	福建福晶科技股份有限公司	当前权利人	福建福晶科技股份有限公司
发明人	王昌运;吴少凡;陈伟
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种大尺寸BBO晶体快速生长的方法，采用碳酸钡和硼酸为主要原料，氟化钠或氧化钠为助熔剂，双层坩锅和熔盐炉为生长装置，所述双层坩埚为在外坩埚里面增置一个无底的内坩埚，通过对外坩埚熔体搅拌或通气，带动内坩埚熔体的流动，从而提高晶体生长速度和溶质浓度梯度，缩短晶体生长周期，得到大尺寸晶体毛坯，采用本发明的晶体生长方法可以有效解决传统生长方法中晶体靠降温生长，过程中熔体主要为自然对流导致晶体生长速率低，生长周期长，风险大，成本高等缺点。

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