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形成绝缘结构的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810995795.2
IPC分类号：H01L21/762
申请日期：
2018-08-29
申请人：
联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	形成绝缘结构的方法
申请号	CN201810995795.2	申请日期	2018-08-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-01-17	公开/公告号	CN110707037A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/762 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/71 限定在组H01L 21/70中的器件的特殊部件的制造（H01L 21/28，H01L 21/44，H01L 21/48优先）〔6〕 H01L21/76 组件间隔离区的制作〔2〕 H01L21/762 介电区〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人	联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司	当前权利人	联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
发明人	陈柏均;朱玄通;陈意维;刘玮鑫;童宇诚;张家隆
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陈小雯

摘要

本发明公开一种形成绝缘结构的方法，包含有下述步骤。首先，提供一基底，具有一第一凹槽、一第二凹槽、以及一第三凹槽，其中第三凹槽的开口大于第二凹槽的开口，且第二凹槽的开口大于第一凹槽的开口。接着，以一原子层沉积制作工艺形成一第一氧化层，且第一氧化层顺应覆盖第一凹槽、第二凹槽以及第三凹槽。接续，以一原位蒸汽产生制作工艺，将一第二氧化层填满第一凹槽。

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