加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

场效应晶体管及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110134611.5
  • IPC分类号:H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336
  • 申请日期:
    2021-01-29
  • 申请人:
    上海先进半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称场效应晶体管及其制造方法
申请号CN202110134611.5申请日期2021-01-29
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-31公开/公告号CN113327974A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/423IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人上海先进半导体制造有限公司申请人地址
上海市徐汇区虹漕路385号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海先进半导体制造有限公司当前权利人上海先进半导体制造有限公司
发明人刘佑铭;何学缅;司徒道海;刘金营;吴永玉;李敏;李天慧;李剑波
代理机构上海弼兴律师事务所代理人杨东明;秦晶晶
摘要
本发明提供一种场效应晶体管及其制造方法,场效应晶体管包括埋藏式栅极,埋藏式栅极在垂直于沟道长度的水平方向上包括第一端部栅极、中心栅极以及第二端部栅极;其中:第一端部栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积大于中心栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积;第二端部栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积大于中心栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积。本发明的场效应晶体管采用了三维立体结构代替传统平面结构,实现了对沟道的三向包裹,增大了沟道宽度的面积,在不增加有源区面积的情况下增大了沟道控制面积,提高了栅控能力,稳定了阈值电压,增大了饱和电流。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供