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一种高浓度钼掺杂三氧化钨光催化纳米材料及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011528488.7
  • IPC分类号:B01J23/28;B01J23/30;B82Y30/00;B82Y40/00;C02F1/30;C02F101/30
  • 申请日期:
    2020-12-22
  • 申请人:
    湖南工业大学
著录项信息
专利名称一种高浓度钼掺杂三氧化钨光催化纳米材料及其制备方法
申请号CN202011528488.7申请日期2020-12-22
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-04-13公开/公告号CN112642420A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B01J23/28IPC分类号B;0;1;J;2;3;/;2;8;;;B;0;1;J;2;3;/;3;0;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0;;;C;0;2;F;1;/;3;0;;;C;0;2;F;1;0;1;/;3;0查看分类表>
申请人湖南工业大学申请人地址
湖南省株洲市天元区泰山路88号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人湖南工业大学当前权利人湖南工业大学
发明人赵田;董茗;邹敏敏;汤松凡;宋丽娟
代理机构重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙)代理人陈炳萍
摘要
本发明属于材料制备技术领域,公开了一种高浓度钼掺杂三氧化钨光催化纳米材料及其制备方法,所述高浓度钼掺杂三氧化钨光催化纳米材料按照质量份数计,由三氧化钨8~12份、钼酸钠6~7份、石墨2~4份、去离子水23~30份、盐酸8~11份、硝酸4~5份、乙二醇5~8份组成。本发明制备的高浓度钼掺杂三氧化钨为光催化纳米材料,可降低原三氧化钨材料中的电子空穴复合率,能增强其在光催化反应中对太阳光谱的吸收宽度,提高光催化反应对太阳光的利用率,并提高光催化降解有机物的效率。同时,本发明通过改变催化剂的结构提高其光催化性能,钼负载中孔三氧化钨能够用有效的利用可见光,拓展了三氧化钨的光响应范围。

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