一种基于选区外延技术的双波长VCSEL结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110826665.8
IPC分类号：H01S5/10;H01S5/183;H01S5/34
申请日期：
2021-07-21
申请人：
湖北光安伦芯片有限公司

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专利名称	一种基于选区外延技术的双波长VCSEL结构及其制备方法
申请号	CN202110826665.8	申请日期	2021-07-21
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-26	公开/公告号	CN113708214A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/10 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;0;;;H;0;1;S;5;/;1;8;3;;;H;0;1;S;5;/;3;4查看分类表>
申请人	湖北光安伦芯片有限公司	申请人地址	湖北省鄂州市葛店开发区高新三路光谷联合科技城第C9幢5单元变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湖北光安伦芯片有限公司	当前权利人	湖北光安伦芯片有限公司
发明人	程成
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司	代理人	代婵

摘要

本发明涉及一种基于选区外延技术的双波长VCSEL结构及其制备方法，该双波长VCSEL结构通过在GaAs衬底上依次生长GaAs缓冲层、N型布拉格反射镜层作为初始外延片；在所述初始外延片上采用选区外延技术依次外延量子阱、过渡P型布拉格反射镜层、P型GaAs光栅制备层，选区外延技术改变量子阱材料带隙波长，实现VCSEL双波长激射，针对不同带隙波长区域制备台面，台面制备完成后进行氧化工艺；并利用电子束曝光技术，分别针对两种不同带隙波长量子阱在P型GaAs光栅制备层上制备高对比度光栅(HCG)，形成高反射率反射镜代替传统的P型DBR结构，不但避免了选区外延多层DBR结构，降低了外延难度，而且可以针对不同激射波长灵活设计反射率，提高了工艺灵活性及可行性。

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