用于对三维FeRAM中的存储单元进行读取和写入的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202111004071.5
IPC分类号：G11C11/22;G11C11/40;G11C5/02
申请日期：
2020-07-03
申请人：
长江存储科技有限责任公司

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著录项信息

专利名称	用于对三维FeRAM中的存储单元进行读取和写入的方法
申请号	CN202111004071.5	申请日期	2020-07-03
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-23	公开/公告号	CN113689904A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/22 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/22 应用铁电元件的〔2〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;2;2;;;G;1;1;C;1;1;/;4;0;;;G;1;1;C;5;/;0;2查看分类表>
申请人	长江存储科技有限责任公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长江存储科技有限责任公司	当前权利人	长江存储科技有限责任公司
发明人	汤强
代理机构	北京永新同创知识产权代理有限公司	代理人	林锦辉;刘景峰

摘要

公开了一种用于三维铁电存储器件的编程方法。该编程方法包括在目标存储单元的选定的字线上施加第一电压。目标存储单元具有分别对应于第一阈值电压和第二阈值电压的第一逻辑状态和第二逻辑状态。第一和第二阈值电压是由目标存储单元中的铁电膜的两个相反的电极化方向确定的。该编程方法还包括在选定的位线上施加第二电压，其中第一电压和第二电压之间的电压差具有大于铁电膜的矫顽电压的幅值，使得目标存储单元从第一逻辑状态切换到第二逻辑状态。

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