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防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构及其形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810114957.3
  • IPC分类号:H01L23/48;H01L21/60
  • 申请日期:
    2008-06-13
  • 申请人:
    北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
著录项信息
专利名称防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构及其形成方法
申请号CN200810114957.3申请日期2008-06-13
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2009-12-16公开/公告号CN101604670
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/48IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司申请人地址
北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦513 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司当前权利人北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
发明人方绍明;刘鹏飞;曾爱平;陈勇;陈洪宁;王新强
代理机构北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司代理人王达佐
摘要
本发明公开了一种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构,从下往上依次包括:衬底、栅极氧化层、栅极介质层、接触孔介质层、及金属层,其中沉积在栅极氧化层之上的栅极介质层呈间隔分布;接触孔介质层在有栅极介质层的区域形成有接触孔;金属层沉积在接触孔介质层上,并与从接触孔露出的栅极介质层接触。本发明还公开了这种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构的形成方法以及另一种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构及其形成方法。

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