首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体器件的金属栅极结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210093769.3
  • IPC分类号:H01L27/092H01L29/49H01L21/8238
  • 申请日期:
    2012-03-31
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件的金属栅极结构
申请号CN201210093769.3申请日期2012-03-31
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-04-24公开/公告号CN103066073A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/092IPC分类号H01L27/092;H01L29/49;H01L21/8238查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人朱鸣;林慧雯;庄学理;杨宝如;黄渊圣;陈嘉仁;陈昭成
代理机构北京德恒律师事务所代理人陆鑫;房岭梅
摘要
本发明涉及集成电路制造,并且更具体地涉及的是金属栅极结构。CMOS半导体器件的一种示例性结构包括:包括邻近P有源区域和N有源区域并且将其分隔开的隔离区域的衬底;位于P有源区域上方并且在隔离区域上方延伸的P金属栅电极,其中,P金属栅电极包括P功函金属以及位于P功函金属和衬底之间的含氧TiN层;以及位于N有源区域上方并且在隔离区域上方延伸的N金属栅电极,其中,N金属栅电极包括N功函金属以及位于N功函金属和衬底之间的富氮TiN层,其中,在隔离区域上方,富氮TiN层与含氧TiN层相连接。本发明还提供了一种半导体器件的金属栅极结构。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供