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一种三端铁电隧穿结存储器及其制备方法和逻辑电路控制方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010585672.9
  • IPC分类号:H01L27/11585;G11C11/22
  • 申请日期:
    2020-06-24
  • 申请人:
    北京大学
著录项信息
专利名称一种三端铁电隧穿结存储器及其制备方法和逻辑电路控制方法
申请号CN202010585672.9申请日期2020-06-24
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2020-11-03公开/公告号CN111883540A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/11585
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;8;5;;;G;1;1;C;1;1;/;2;2查看分类表>
申请人北京大学申请人地址
北京市海淀区颐和园路5号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京大学当前权利人北京大学
发明人杨玉超;程彩蝶;黄如
代理机构北京万象新悦知识产权代理有限公司代理人李稚婷
摘要
本发明公开了一种三端铁电隧穿结存储器及其制备方法和逻辑电路控制方法。本发明采用两个反向串联的铁电隧穿结器件组成的三端铁电隧穿结存储器来实现布尔逻辑运算,以两个铁电隧穿结器件的操作电压作为逻辑门的输入,读出的电流即为逻辑值,通过外加操作电压和读取电压改变输出结果,实现逻辑操作,运算结果存储在三端铁电隧穿结存储器中。不需要多余的擦写操作,不会造成计算能量的散失,这种计算与存储融合的可逆逻辑门在算法上可以进一步降低计算网络的功耗问题,在未来新型计算架构方面具备极大的应用价值,对于未来的类脑计算硬件的实现具有重要的意义。

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