一种全自对准的槽栅绝缘栅双极晶体管及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110955619.8
IPC分类号：H01L23/02;H01L23/12;H01L23/16;H01L23/367;H01L23/373;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331;B08B17/04
申请日期：
2021-08-19
申请人：
厦门芯一代集成电路有限公司

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著录项信息

专利名称	一种全自对准的槽栅绝缘栅双极晶体管及其制备方法
申请号	CN202110955619.8	申请日期	2021-08-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-23	公开/公告号	CN113690191A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/02 容器；封接（H01L 23/12，H01L 23/34，H01L 23/48，H01L 23/552优先）〔2，5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;0;2;;;H;0;1;L;2;3;/;1;2;;;H;0;1;L;2;3;/;1;6;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;3;7;3;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;0;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1;;;B;0;8;B;1;7;/;0;4查看分类表>
申请人	厦门芯一代集成电路有限公司	申请人地址	福建省厦门市湖里区万翔国际商务中心1694号2#南楼705单元变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	厦门芯一代集成电路有限公司	当前权利人	厦门芯一代集成电路有限公司
发明人	陈利;陈彬
代理机构	东莞市卓易专利代理事务所（普通合伙）	代理人	魏昕

摘要

本发明涉及晶体管技术领域，且公开了一种全自对准的槽栅绝缘栅双极晶体管及其制备方法，包括衬垫层，所述衬垫层的上表面设有P+层，所述P+层的上表面设有漏区，所述漏区的上表面两侧开设有漏注入区，所述漏注入区的顶部设有源区。该一种全自对准的槽栅绝缘栅双极晶体管及其制备方法，通过散热层的多层设置，能够充分吸收使用过过程中所产生的热量，通过散热片的设置，散热片能够有效的吸附第一铜层、陶瓷层和第二铜层所排出的热量，晶体管工作时，热量能够通过散热片被吸附出，从而有效的降低其温度，通过散热导管和延伸片的设置，进一步的提高了散热效果，使得晶体管工作时发热损耗降低，延长了使用寿命。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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